1200V大容量SiC MOSFET器件研制

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学术论文 | 更新时间：2025-12-08

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- 1200V大容量SiC MOSFET器件研制
- Development of 1200V High Capacity SiC MOSFET Devices
- 刘新宇，李诚瞻，罗烨辉，陈宏，高秀秀，白云
- 电子学报 2020年48卷第12期页码：2313-2318
- 作者机构：
  1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  2. 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南,株洲,412001
  3. 株洲中车时代半导体有限公司,湖南,株洲,412001
  4. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  5. 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南,株洲,412001
  6. 株洲中车时代半导体有限公司,湖南,株洲,412001
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家重点基础研究发展规划 (973计划）项目 (No.2017YFB0102302）
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.004
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