3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究

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3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究

学术论文 | 更新时间：2025-07-16

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- 3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究
- Investigation of the Data Retention Initial State Dependence in 3D NAND Flash Memory
- 张明明，王颀，井冲，霍宗亮
- 电子学报 2020年48卷第2期页码：314-320
- 作者机构：
  1. 中国科学院大学微电子学院,北京,100049
  2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  3. 长江存储科技有限公司,湖北,武汉,201203
  4. 中国科学院大学微电子学院,北京,100049
  5. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  6. 长江存储科技有限公司,湖北,武汉,201203
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家科技重大专项 (No.2017ZX02301002）
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.02.014
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