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一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型
一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型
An Analytical Model of Threshold Voltage for the Asymmetrical Double-Material-Gate Strained Si HALO Doping Channel MOSFET
- 电子学报 2019年47卷第11期 页码：2432-2437
DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.027
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