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高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究
高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究
The Electrical Mechanism Study of High-Ruggedness N-Channel RF-LDMOS Under TLP Stress
- 电子学报 2019年47卷第11期 页码：2317-2322
DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.012
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相关作者
刘静
郑少华
刘茵
代月花
高 珊
柯导明
陈军宁
施卫
相关机构
西安理工大学电子工程系
安徽大学电子科学与技术学院
西安理工大学应用物理系
西安交通大学电气工程学院
