您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
Research on Total Ionizing Dose Effect Simulation Technology of Silicon-on-Insulator Device Based on TCAD
- 电子学报 2019年47卷第8期 页码：1755-1761
DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.08.020
移动端阅览
HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计
126
浏览量
320
下载量
1
CSCD
文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
基于VHDL-AMS的模数转换器辐射效应建模与仿真方法
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
基于非均匀随机相位映射的抗截获通信波形研究
一种加载介质钉层的宽角低扫描损耗毫米波双极化相控阵
面向扇出型晶圆级封装的芯片间RDL布线算法
相关作者
刘刚
张馨丹
谭雯丹
张晓鹏
刘锦辉
梁博
曹鹏
刘焱森
相关机构
西安电子科技大学计算机科学与技术学院
湖南师范大学物理与电子科学学院
后摩尔时代物理与器件湖南省普通高等学校重点实验室
中国科学院大学
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
