体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响

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体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响

学术论文 | 更新时间：2025-07-16

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- 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
- The Impact of Body Effect on TID of Ultra Deep Sub Micron SOI Devices
- 席善学，陆妩，郑齐文，崔江维，魏莹，姚帅，赵京昊，郭旗
- 电子学报 2019年47卷第5期页码：1065-1069
- 作者机构：
  1. 中国科学院大学,北京,100049
  2. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
  3. 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
  4. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金 (No.U1532261，No.11605282，No.11505282，No.11605283）;西部之光 (No.2015-XBQN-B-15）
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.05.013
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