沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究

学术论文 | 更新时间：2025-07-08

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- 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
- Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET
- 崔江维，郑齐文，余德昭，周航，苏丹丹，马腾，魏莹，余学峰，郭旗
- 电子学报 2018年46卷第5期页码：1128-1132
- 作者机构：
  1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
  2. 中国科学院大学,北京,100049
  3. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
  4. 中国科学院大学北京,100049
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金 (No.11475255，No.11505282）;中国科学院西部之光项目 (No.2015-XBQN-B-15）
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016
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