您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究
YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究
Improvement of HfO2/Ge Interface Properties by Using YON Interfacial Passivation Layer
- 电子学报 2017年45卷第11期 页码:2810-2814
DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2017.11.031
移动端阅览
HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计
80
浏览量
267
下载量
1
CSCD
文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
- BibTeX下载
- Endnote下载
- RefMan 下载
- NoteExpress下载
- NoteFirst下载
相关文章
面向扇出型晶圆级封装的芯片间RDL布线算法
面向低空无人机监测的3D MIMO OTFS通信感知一体化方法
基于多维DHS的AFDM卫星通信隐蔽波形
一种加载介质钉层的宽角低扫描损耗毫米波双极化相控阵
基于LaFMD处理的新型阈值调控技术研究
相关作者
暂无数据
相关机构
暂无数据

