Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

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Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

综述评论 | 更新时间：2025-07-16

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- Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述
- Review on Early Effect Model of Si and SiGe Transistors and Applications to Circuit Simulators
- 徐小波，张林，王晓艳，谷文萍，胡辉勇，葛建华
- 电子学报 2016年44卷第7期页码：1763-1771
- 作者机构：
  1. 长安大学电子与控制工程学院, 道路交通检测与装备工程技术研究中心,陕西,西安,710064
  2. 西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室,陕西,西安,710071
  3. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西,西安,710071
  4. 长安大学电子与控制工程学院道路交通检测与装备工程技术研究中心,陕西,西安,710064
  5. 西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室,陕西,西安,710071
  6. 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西,西安,710071
- 作者简介：
- 基金信息：
  中国博士后科学基金 (No.2013M540732);国家自然科学基金 (No.61504011);陕西省自然科学基金 (No.2014JQ8344,No.2015JM6357);西安市科技计划项目 (No.CXY1441 (9));中央高校基本科研业务费 (No.31083216002)
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.07.035
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