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不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究
学术论文 | 更新时间：2025-07-16
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    • 不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

    • Investigation on the Hot-Carrier-Induced Degradation for 1.8V pMOS Under Different Gate Voltage Stresses

    • 刘斯扬 ，于朝辉 ，张春伟 ，孙伟锋 ，苏巍 ，张爱军 ，刘玉伟 ，吴世利 ，何骁伟
    • 电子学报 2016年44卷第2期 页码：348-352

    • DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.02.015     

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