有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究

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有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究

科研通信 | 更新时间：2025-07-16

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- 有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究
- Voltage-Current Relationship of Active Memristor and Frequency Characteristic of Active Memristive Circuit
- 包伯成，邹相，胡文，武花干
- 电子学报 2013年41卷第3期页码：593-597
- 作者机构：
  1. 常州大学信息科学与工程学院,江苏,常州,213164
  2. 南京航空航天大学电子信息工程学院,江苏,南京,210016
  3. 南京理工大学电子工程系,江苏,南京,210094
  4. 常州大学信息科学与工程学院,江苏,常州,213164
  5. 南京航空航天大学电子信息工程学院,江苏,南京,210016
  6. 南京理工大学电子工程系,江苏,南京,210094
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家自然科学基金 (No.51277017);江苏省自然科学基金 (No.BK2012583)
- DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.03.029
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