基于漏极电压和源极电压检测的SiC MOSFET过流保护芯片

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基于漏极电压和源极电压检测的SiC MOSFET过流保护芯片

学术论文 | 更新时间：2025-12-27

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- 基于漏极电压和源极电压检测的SiC MOSFET过流保护芯片
- Overcurrent Protection IC for SiC MOSFETs Based on the Drain-Voltage and Source-Voltage Detection
- 李强，杨媛，文阳，赵天阳，李亚兰，茹逍
- 电子学报 2025年53卷第9期页码：3211-3222
- 作者机构：
  1.西安理工大学自动化与信息工程学院，陕西西安 710048
  2.包头师范学院物理科学与技术学院，内蒙古包头 014030
- 作者简介：
  李强男，1984年12月出生于内蒙古自治区包头市.现为包头师范学院物理科学与技术学院副教授、硕士生导师.主要研究方向为电源管理芯片、宽禁带半导体器件的驱动保护技术. E-mail: lq@bttc.edu.cn
  杨媛女，1974年10月出生于湖南省江平市.现为西安理工大学电子工程系教授、博士生导师.研究方向为数模拟混合集成电路设计、轨道电路系统设计、功率半导体器件驱动保护技术. E-mail: yangyuan@xaut.edu.cn
- 基金信息：
  国家自然科学基金(62174134);西安市重点产业链关键核心技术攻关项目(23LLRH0044);包头师范学院科研项目(BSYKJ2023-ZY07)
- DOI： 10.12263/DZXB.20241156
  中图分类号：
- 录用：2025-09-11 ，
- 稿件说明：
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