栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响

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栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响

学术论文 | 更新时间：2025-12-08

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- 栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响
- Gate Width Influence on Subthreshold Swing of AlGaN/GaN HEMTs
- 季启政，刘峻，杨铭，马贵蕾，胡小锋，刘尚合
- 电子学报 2023年51卷第6期页码：1486-1492
- 作者机构：
  1.陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应重点实验室,河北石家庄 050003
  2.北京卫星环境工程研究所,北京 100094
  3.南京信息工程大学电子与信息工程学院,江苏南京 210044
  4.北京东方计量测试研究所,北京 100094
- 作者简介：
  季启政男，1979年出生，安徽无为人.现为陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应重点实验室博士生.主要研究方向为微电子器件与电磁防护.E-mail: qzhji@sina.com
  刘峻男，1998年出生，江苏盐城人.现为南京信息工程大学电子与信息工程学院硕士研究生.主要研究方向为GaN半导体功率器件.E-mail: 1414294528@qq.com
  刘尚合（通讯作者）男，1937年出生，山西闻喜人.现为陆军工程大学教授、中国工程院院士.主要研究方向为静电与电磁防护、电磁环境效应.
- 基金信息：
  国家自然科学基金(61904007)
- DOI： 10.12263/DZXB.20230004
  中图分类号：
- 修回：2023-02-09 ，
- 稿件说明：
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