ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能

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ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能

学术论文 | 更新时间：2025-12-08

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- ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能
- UV Detection Performance of ZnO NW Gate GaN HEMT Research
- 朱彦旭，谭张杨，王晓冬
- 电子学报 2023年51卷第9期页码：2510-2516
- 作者机构：
  1.北京工业大学光电子技术教育部重点实验室，北京 100124
  2.中国人民警察大学警务装备技术学院，河北廊坊 102308
- 作者简介：
  朱彦旭男，1970年1月出生于河北省秦皇岛市，现为北京工业大学副教授、硕士生导师，主要研究方向为GaN HEMT 器件、发光二极管、激光器、太阳能电池等半导体器件.
  谭张杨女，1998年9月出生于湖北省荆州市，现为北京工业大学硕士研究生，主要研究方向为GaN HEMT紫外探测.
  王晓冬（通讯作者）男，1977年11月出生于河北省保定市，现为中国人民警察大学副教授，主要研究方向为MEMS力学传感器的设计.
- 基金信息：
  国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)
- DOI： 10.12263/DZXB.20211634
  中图分类号：
- 修回：2022-04-26 ，
- 稿件说明：
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