掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究

科研通信 | 更新时间：2025-07-16

上一篇|下一篇

- 掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究
- Study on the Void Formation in Through-Mask Plated Redistribution Layer in Wafer Level Package
- 宁文果，朱春生，李珩，徐高卫，罗乐
- 电子学报 2014年42卷第2期页码：411-416
- 作者机构：
  1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
  2. 中国科学院大学,北京,100049
  3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
  4. 中国科学院大学,北京,100049
- 作者简介：
- 基金信息：
  国家科技重大专项 (No.2009ZX02025-1）
- DOI：
  中图分类号：
- 稿件说明：
移动端阅览
DOI：
DOI：

HTML全文
参考文献
出版信息
数据统计

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

71

浏览量

2538

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

BibTeX下载
Endnote下载
RefMan 下载
NoteExpress下载
NoteFirst下载

关联资源

相关文章

基于全局初检与局部列表精检的OTFS两阶段检测方法

面向多类型二值分割任务的混合专家自适应统一框架

低轨卫星环境下OTFS跨域嵌入式导频信道估计算法

基于慢波微同轴的紧凑型开关线式真时延单元

MDW：最小双权差分特征搜索模型

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据