超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测

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超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测

论文 | 更新时间：2025-07-16

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- 超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测
- Process Monitor of Plasma Charging Damage in Ultra-Thin Gate Oxide
- 赵文彬，李蕾蕾，于宗光
- 电子学报 2009年37卷第5期页码：947-950
- 作者机构：
  1. 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071
  2. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035
  3. 西安电子科技大学微电子学院陕西西安,710071
  4. 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡,214035
- 作者简介：
- 基金信息：
  江苏省高技术研究项目 (No.BG2007006)
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